"അർദ്ധചാലക ഉപകരണ ഫാബ്രിക്കേഷൻ" എന്ന താളിന്റെ പതിപ്പുകൾ തമ്മിലുള്ള വ്യത്യാസം

ആദ്യത്തെ മെറ്റൽ-ഓക്സൈഡ്-സിലിക്കൺ ഫീൽഡ്-ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ (മോസ്ഫെറ്റുകൾ) ഈജിപ്ഷ്യൻ എഞ്ചിനീയർ മുഹമ്മദ് എം. അറ്റല്ലയും കൊറിയൻ എഞ്ചിനീയർ ദാവോൺ കാങും ചേർന്ന് 1959 നും 1960 നും ഇടയിൽ [[ബെൽ ലാബ്സ്|ബെൽ ലാബിൽ]] ഫാബ്രിക്കേറ്റ് ചെയ്തതാണ്. <ref name="Lojek">{{cite book |last1=Lojek |first1=Bo |title=History of Semiconductor Engineering |date=2007 |publisher=[[Springer Science & Business Media]] |isbn=9783540342588 |pages=321–3}}</ref> യഥാർത്ഥത്തിൽ രണ്ട് തരം മോസ്ഫെറ്റ് സാങ്കേതികവിദ്യ ഉണ്ടായിരുന്നു, പി‌എം‌ഒ‌എസ് (പി-ടൈപ്പ് എം‌ഒ‌എസ്), എൻ‌എം‌എസ് (എൻ-ടൈപ്പ് എം‌ഒ‌എസ്). <ref name="computerhistory">{{cite journal|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/|title=1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|journal=The Silicon Engine: A Timeline of Semiconductors in Computers|publisher=[[Computer History Museum]] |accessdate=August 31, 2019}}</ref> രണ്ട് തരങ്ങളും വികസിപ്പിച്ചെടുത്തത് അറ്റല്ലയും കാങും ആണ്, അവർ ആദ്യം മോസ്ഫെറ്റ് കണ്ടുപിടിച്ചപ്പോൾ പി‌എം‌ഒ‌എസ്, എൻ‌എം‌ഒ‌എസ് ഉപകരണങ്ങൾ 20 µm<ref name="Lojek"/>, 10 µm സ്കെയിലുകളിൽ ഫാബ്രിക്കേറ്റ് ചെയ്തു.<ref>{{cite book |last1=Voinigescu |first1=Sorin |title=High-Frequency Integrated Circuits |date=2013 |publisher=[[Cambridge University Press]] |isbn=9780521873024 |page=164 |url=https://books.google.com/books?id=71dHe1yb9jgC&pg=PA164}}</ref>