"ട്രാൻസിസ്റ്റർ" എന്ന താളിന്റെ പതിപ്പുകൾ തമ്മിലുള്ള വ്യത്യാസം

15 ബൈറ്റുകൾ കൂട്ടിച്ചേർത്തിരിക്കുന്നു ,  9 വർഷം മുമ്പ്
തിരുത്തലിനു സംഗ്രഹമില്ല
(ചെ.) (r2.6.4) (യന്ത്രം പുതുക്കുന്നു: sk:Tranzistor (polovodičová súčiastka))
== ചരിത്രം ==
[[ചിത്രം:Replica-of-first-transistor.jpg|thumb|180px|പ്രവർത്തനക്ഷമമായ ആദ്യത്തെ ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ രൂപം.]]
ഫീൽഡ് എഫക്ട് ട്രാൻസിസ്റ്ററിന് വേണ്ടിയുള്ള ആദ്യത്തെ പേറ്റന്റ്<ref>{{patent|US|1745175|[[Julius Edgar Lilienfeld]]: "Method and apparatus for controlling electric current" first filed in Canada on 22.10.1925, describing a device similar to a [[MESFET]]}}</ref> ആസ്ട്രിയൻ-ഹംഗറിയൻ ഭൗതികശാസ്ത്രഞ്ജനായിരുന്നഭൗതികശാസ്ത്രജ്ഞനായിരുന്ന ജൂലിയസ് എഡ്ഗർ ലിലീൻഫെൽഡിന്റെ പേരിൽ 1925 ഒക്ടോബർ 22 ൽ കാനഡയിൽ രേഖപ്പെടുത്തപ്പെട്ടു. 1934 ൽ ജർമ്മൻ ഭൗതികശാസ്ത്രഞ്ജനായഭൗതികശാസ്ത്രജ്ഞനായ ഡോ.ഓസ്കാർ ഹെയ്‌ലിന് മറ്റൊരു ഫിൽഡ്ഫീൽഡ്-എഫക്ട് ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ പേറ്റന്റ് ലഭിക്കുകയുണ്ടായി. 1947 നവംബർ 17 ന്‌ ജോൺ ബർഡീനും വാൾട്ടർ ബ്രാട്ടെയ്നും ജെമേനിയത്തിന്റെ പരലിൽ വൈദ്യുതിപ്രവഹിപ്പിച്ചപ്പോൾ നിക്ഷേപ (input) ഊർജ്ജത്തേക്കാൾ കൂടുതൽ ഉല്പന്ന (output) ഊർജ്ജം പ്രവഹിക്കുന്നതായി കണ്ടെത്തി. വില്യം ഷോക്ക്‌ലി ഈ മേഖലയിൽ മാസങ്ങളോളം ഗവേഷണത്തിലേർപ്പെടുകയും അർദ്ധചാലകങ്ങളെ സംബന്ധിച്ച കൂടുതൽ അറിവുകൾ കണ്ടെത്തുകയും ചെയ്തു, അതിനാൽ ഇദ്ദേഹത്തെ ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ പിതാവ് എന്നു പറയപ്പെടുന്നു.
 
ടെക്സാസ് ഇൻസ്ട്രുമെന്റ്സ് എന്ന കമ്പനിയാണ്‌ 1954 ഇൽ ആദ്യമായി ട്രാൻസിസ്റ്റർ നിർമ്മിച്ചത്. പരലുകളുടെ ശുദ്ധീകരണത്തിൽ വിദഗ്ദനായ ഗോർഡൻ റ്റീൽ എന്ന വ്യക്തിയായിരുന്നു ഇതിനു പിന്നിൽ.
[[File:KT819.JPG|180px|thumb|]]
[[File:KT911A.JPG|180px|thumb]]
ഇരുപതാം നൂറ്റാണ്ടിൽ നടന്ന വളരെ വലിയ ഒരു കണ്ടുപുടുത്തമായികണ്ടുപിടുത്തമായി ട്രാൻസിറ്ററിന്റെട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ കണ്ടുപിടുത്തം കണക്കാക്കപ്പെടുന്നു, ചിലപ്പോൾ ഏറ്റവും വലിയ കണ്ടുപിടുത്തമായും കരുതപ്പെടുന്നു. ഇപ്പോൾ ലഭ്യമായ മിക്കവാറും ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഉപകരണങ്ങളുടേയും അടിസ്ഥാനം ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളാണ്‌. യന്ത്രവൽകൃത മാർഗ്ഗത്തിലൂടെ വലിയ അളവിലും ചുരുങ്ങിയ ചിലവിലുമുള്ള ഇതിന്റെ ഉല്പാദനം ഇന്നത്തെ കാലത്ത് വളരെ പ്രധാന്യമുള്ളതാണ്‌പ്രാധാന്യമുള്ളതാണ്‌.
 
വിവിധ കമ്പനികൾ വർഷം തോറും ബില്ല്യൺ കണക്കിന്‌ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ തനത് ഉപാധികളായി നിർമ്മിക്കപ്പെടുന്നുണ്ട്. പക്ഷെ സിംഹഭാഗവും ഇന്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടുകൾക്കുള്ളിലുള്ള രൂപത്തിൽ ഡയോഡുകൾ, റെസിസ്റ്ററുകൾ, കപ്പാസിറ്ററുകൾ എന്നിവയോടുകൂടിയ നിലയിലാണ്‌ നിർമ്മിക്കപ്പെടുന്നത്. ഡിജിറ്റൽ ഇലക്ട്രോണിക്സിന്റെ അടിസ്ഥാനശിലകളായ ലോജിക് ഗേറ്റുകൾ നിർമ്മിക്കുന്നത് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ ഒരു പരിപഥത്തിൽ കൂട്ടിയണക്കിക്കൊണ്ടാണ്‌കൂട്ടിയിണക്കിക്കൊണ്ടാണ്‌. ഒരു ലോജിക്ക് ഗേറ്റിൽ ഇരുപത് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ ഉണ്ടായിരിക്കും, അതേസമയം 2010 ലെ സങ്കേതികവിദ്യയനുസരിച്ച് ഉന്നതതല മൈക്രോപ്രൊസസ്സറിൽ 2.3 ബില്ല്യൺ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ (MOSFET) ഉണ്ടായിരിക്കും. "2002 ൽ ലോകത്തിലെ ഒരോ വ്യക്തിക്കും 60 മില്ല്യൺ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ എന്ന നിരക്കിൽ നിർമ്മിക്കപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു".
 
യന്ത്രങ്ങളിലും മറ്റും ഇലക്ട്രോമെക്കാനിക്കൽ ഭാഗങ്ങളെ ട്രാൻസിസ്റ്റർ ഉപയോഗിച്ചുള്ള സർക്യൂട്ടുകൾ പുറംതള്ളിക്കൊണ്ടിരിക്കുന്നു. മെക്കാനിക്കൽ ഭാഗങ്ങളുപയോഗിച്ചുള്ള നിയന്ത്രിത സം‌വിധാങ്ങളേക്കാൾസം‌വിധാനങ്ങളേക്കാൾ ലളിതവും എളുപ്പവുമാണ്‌ [[മൈക്രോകൺട്രോളർ]] ഉപയോഗിക്കുകയും അതിൽ ഒരു കം‌പ്യൂട്ടർ പ്രോഗ്രാം സന്നിവേശിപ്പിക്കുന്നതും.
 
== പ്രവർത്തന രീതി - ചുരുക്കത്തിൽ ==
ഏതെങ്കിലും രണ്ടു പിന്നുകൾക്കിടയിൽ കൊടുക്കുന്ന ദുർബ്ബലമായ ഒരു സിഗ്നൽ മറ്റു രണ്ടു പിന്നുകൾക്കിടയിലെ താരതമ്യേന വലിയ സിഗ്നലിനെ നിയന്ത്രിക്കുന്നു എന്ന പ്രതിഭാസമാണ്‌ ട്രാൻസിസ്റ്റടിന്റെട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ പ്രവർത്തനത്തിന്റെ അടിസ്ഥാന തത്ത്വം. ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ ഈ പ്രത്യേകതയാണ്‌ ഗെയിൻ എന്ന് അറിയപ്പെടുന്നത്. ചുരുക്കിപ്പറഞ്ഞാൽ ട്രാൻസിസ്റ്റർ ഒരു 'ആമ്പ്ലിഫയർ' ആയി പ്രവർത്തിക്കുന്നു. ഇതേ രീതിയിൽ ഇൻപുട്ട് സിഗ്നലിന്റെ ഉച്ചതയുടെ അടിസ്ഥാനത്തിൽ ഔട്ട്പുട്ട് വൈദ്യുത പ്രവാഹതീവ്രത നിയന്ത്രിക്കാൻ കഴിയുമെന്നതിനാൽ ഒരു ഇലക്ട്രോണിക നിയന്ത്രിത സ്വിച്ച് ആയും ഇത് പ്രവർത്തിക്കുന്നു.
 
 
"https://ml.wikipedia.org/wiki/പ്രത്യേകം:മൊബൈൽവ്യത്യാസം/923664" എന്ന താളിൽനിന്ന് ശേഖരിച്ചത്